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10kV超級SiCデバイスの試作削減へ、通電特性を高精度に予測
確認できた事実
電力中央研究所は、10kV超級SiC-IGBTの基本要素となるSiC-PiNダイオードについて、通電特性を高精度に再現する計算機シミュレーション技術を開発した。SiC結晶の光学測定と電気特性評価からキャリア寿命と真性キャリア密度を導出し、300～523Kの温度範囲で実測と計算が高い精度で一致することを確認した。高価な試作回数の削減や半導体変圧器・直流送電向け機器の開発短縮が期待されるが、商用製品化を発表したものではない。
実務上の示唆
電力機器メーカーや系統技術部門は、超高耐圧SiCを前提とする変換器の設計期間、試作費、熱設計を見直せる可能性がある。事業評価では、素子の商用製造歩留まり、長期信頼性、大容量モジュール化、既存設備との保護協調を別途確認する必要がある。
一次資料
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